SiCの半導體としての可能性は？
優(yōu)れた特徴を持つ物性
SiCはその高い熱的安定性と広いワイドバンドギャップで、
高溫條件下での動作を求められるデバイスに適しています。
電力用パワーデバイス
電力用パワーデバイスとは、電気自動車(EV)や鉄道?産業(yè)機器、太陽光発電等のインバータ／コンバータに使われる半導體で、
電気自動車へ進む社會で大きな需要拡大が見込まれています。
現(xiàn)在のパワーデバイスはSi(シリコン)を用いることがほとんどです。SiCは、Siと比べると約10倍の絶縁破壊電界強度があり、
Siと比べて大幅にエネルギー効率の良い高性能なパワーデバイスの製作が可能です。
SiCのパワーデバイスへの採用はまだまだ少數(shù)ですが、Siの理論限界をゆうに超える可能性を持つSiCの高性能パワーデバイスが
様々な製品に搭載されるようになれば、社會に莫大な省電力化を実現(xiàn)できる、と言って良いと思います。
高周波(RF)デバイス
高周波(RF)デバイスとは、無線通信や光通信を支える半導體で、IoTやAlなど情報化社會のインフラに欠かせない半導體です。
攜帯電話基地局のキーデバイスとして送信用増幅器があります。現(xiàn)在(2020年)整備が進められている第5世代基地局(5G基地局)の
送信用増幅器では、GaN-HEMT(窒化ガリウムHEMT)という高周波デバイスが規(guī)格化され搭載されております。
SiCは、このGaN-HEMT基板を生産する上での重要な下地基板として採用されており、これをGaN on SiC基板といいます。
5G(GaN-HEMT)を支える材料として、すでに広く社會に実裝されています。
